[实用新型]双电阻PNP型达林顿功率晶体管有效
| 申请号： | 201420744837.2 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN204204842U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;易琼红;龚利贞 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/07;H01L25/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，形成于P型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区,以及形成前级晶体管T1和后级晶体管T2隔离区中的一级电阻的N型区；在前级晶体管T1的N型基区内形成有前级晶体管T1的P+型发射区；在后级晶体管T2的N型基区内形成有后级晶体管T2的P+型发射区；在P型衬底的正面覆盖有氧化层；P型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区和后级晶体管T2的N型基区的连接金属层。该双电阻达林顿晶体管具有热稳定性好，开关时间速度快、抗烧毁性强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 pnp 型达林顿 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，其特征在于，还包括：形成于P型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(12)以及隔离区的N型基区沟道电阻(9)；在前级晶体管T1的N型基区(5)内形成有前级晶体管T1的P+型发射区(4)；在后级晶体管T2的N型基区(12)内形成有后级晶体管T2的P+型发射区(11)；在隔离区的N型基区沟道电阻(9)内形成P型发射区扩散环(10)；在P型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；P型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区(4)和后级晶体管T2的N型基区(12)的连接金属层(2)；在前级晶体管T1的N型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(15)，用于形成T1管的基极；在后级晶体管T2的P+型发射区(11)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(14)，用于形成T2管的发射极；在P型衬底的正面最外层覆盖有钝化层(1)；前后级晶体管隔离区的N型基区沟道电阻(9)用于形成前级晶体管T1的BE间的电阻R1；后级晶体管T2上方的氧化层(3)上开有连通孔并覆盖连通金属层(13)，连通金属层(13)与后级晶体管T2基区上方的连接金属层(2)相连，通过后级晶体管T2氧化层下N型基区与T2发射区形成后级晶体管T2的BE间电阻R2。
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