[实用新型]后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管

摘要

本实用新型提供一种后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，形成于P型衬底背面的背面金属层，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区；前级晶体管T1的N型基区和后级晶体管T2的N型基区间形成有P+型发射区隔离墙；在前级晶体管T1的N型基区内形成有前级晶体管T1的P+型发射区；在后级晶体管T2的N型基区内形成有后级晶体管T2的P+型发射区；在T2管的基区和发射区之间形成有P+型发射区电阻；在P型衬底的正面覆盖有氧化层；具有击穿电压高、电流大、二次击穿耐量高、饱和压降小、开关时间短、抗烧毁性强、可靠性高等特点。

主权项

一种后级单电阻PNP型达林顿功率晶体管，包括一P型衬底，其特征在于，还包括：形成于P型衬底背面的背面金属层(8)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在P型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(11)；前级晶体管T1的N型基区(5)和后级晶体管T2的N型基区(11)间形成有P+型发射区隔离墙(10)；在前级晶体管T1的N型基区(5)内形成有前级晶体管T1的P+型发射区(4)；在后级晶体管T2的N型基区(11)内形成有后级晶体管T2的P+型发射区(12)；在T2管的基区和发射区之间形成有P+型发射区电阻(9)；在P型衬底的正面覆盖有氧化层(3)；P型衬底的正面氧化层(3)之上还形成有连接前级晶体管T1的P+型发射区(4)和后级晶体管T2的N型基区(11)的连接金属层(2)；在前级晶体管T1的N型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(13)，用于形成T1管的基极；在后级晶体管T2的P+型发射区(12)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(14)，用于形成T2管的发射极；在P型衬底的正面最外层覆盖有钝化层(1)。