[实用新型]一种发光二极管有效

专利信息
申请号: 201420752979.3 申请日: 2014-12-03
公开(公告)号: CN204216064U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 张楠;张鹏;张冀 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 528226 广东省佛山市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型实施例公开了一种发光二极管,所述发光二极管除包括:衬底、氮化镓基、反射镜层、多个电极孔洞、绝缘层、和电极结构外,还包括位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面的导热层,从而可以在所述发光二极管工作时,利用所述导热层对所述发光二极管工作过程中产生的热量进行散热,提高所述发光二极管的导热性,降低所述发光二极管工作时的温度,提高所述发光二极管的性能,使得所述发光二极管可以工作在更大的电流下,扩大所述发光二极管的使用范围。
搜索关键词: 一种 发光二极管
【主权项】:
一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底;氮化镓基,所述氮化镓基位于所述衬底表面包括:位于所述衬底表面的第一氮化镓层,位于所述第一氮化镓层背离所述衬底一侧的有源层,位于所述有源层背离所述第一氮化镓层一侧的第二氮化镓层;多个电极孔洞,所述电极孔洞位于所述氮化镓基内,完全贯穿所述第二氮化镓层和所述有源层,延伸至所述第一氮化镓层表面;反射镜层,所述反射镜层位于所述第二氮化镓层背离所述有源层一侧表面;绝缘层,所述绝缘层位于所述电极孔洞侧壁,且覆盖相邻电极孔洞之间反射镜层表面;电极结构,所述电极结构包括:位于所述绝缘层表面且完全填充所述电极孔洞的第一电极,和位于未覆盖有所述绝缘层的反射镜层背离所述第二氮化镓层一侧表面的第二电极;导热层,所述导热层位于所述电极结构背离所述反射镜层一侧表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420752979.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top