[实用新型]一种平面栅IGBT有效
| 申请号： | 201420761169.4 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN204332965U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵哿;王耀华;高明超;刘江;金锐;温家良 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网智能电网研究院;国网浙江省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有空穴旁路和发射极集成均流电阻复合结构的平面栅IGBT。在传统的平面栅型IGBT基础上，通过调整N+注入掺杂区域的形状和面积，形成空穴电流旁路和N+掺杂发射区的集成均流电阻复合结构，此结构可以有效抑制IGBT器件的饱和电流，避免过大电流冲击；可以有效抑制IGBT器件的大电流状态下的Latch-up现象，降低空穴电流路径的电阻；可以使得发射极电流更加均匀，避免IGBT器件内局部区域的电流过大；同时还可以维持导通压降较小的变化值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt | ||
【主权项】：
一种平面栅IGBT，所述平面栅IGBT包括衬底、从上到下依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜，和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，从上到下依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面P+掺杂区和背面金属电极；其特征在于，所述N+型掺杂区为断续的N+掺杂区域，所述断续的N+掺杂区域形状为长方形，长度与宽度比例为3:2，面积为20至30平方微米，所述P+型掺杂区和断续的N+掺杂区域共同形成平面栅IGBT空穴旁路和发射极集成均流电阻复合结构。
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