[实用新型]气密性双腔封装结构有效

专利信息
申请号: 201420766700.7 申请日: 2014-12-08
公开(公告)号: CN204289421U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 蒋长顺 申请(专利权)人: 无锡中微高科电子有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/043;H01L23/488
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅;韩凤
地址: 214035 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供了一种在陶瓷基板上实现特定芯片封装的气密性双腔封装结构。该结构在基板上、下均开有凹槽,上凹槽外覆盖第一金属盖板,上凹槽与第一金属盖板形成上腔体;下凹槽外覆盖第二金属盖板,下凹槽与第二金属盖板形成下腔体;上腔体和下腔体之间通过开窗连通;芯片粘结在上腔体内,芯片中间区域的I/O焊盘朝下对应开窗,下腔体内开窗周围具有键合指,芯片的I/O焊盘由穿过开窗的键合引线连接到所述键合指。本封装结构实现了特定芯片高性能、小体积气密封装的目的。
搜索关键词: 气密性 封装 结构
【主权项】:
 气密性双腔封装结构,包括基板(1),其特征在于,所述基板(1)上、下均开有凹槽,上凹槽外覆盖第一金属盖板(6),上凹槽与第一金属盖板(6)形成上腔体(7);下凹槽外覆盖第二金属盖板(5),下凹槽与第二金属盖板(5)形成下腔体(8);上腔体(7)和下腔体(8)之间通过开窗(9)连通;芯片(2)粘结在上腔体(7)内,芯片(2)中间区域的I/O焊盘朝下对应开窗(9),下腔体(8)内开窗(9)周围具有键合指,芯片(2)的I/O焊盘由穿过开窗(9)的键合引线(4)连接到所述键合指。
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