[实用新型]晶硅太阳电池的正电极结构有效
| 申请号： | 201420770643.X | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN204216051U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 高贝贝;朱惠君;钟明 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶硅太阳电池的正电极结构，它包括：多根细栅线金属电极，呈并列平行状；四根主栅线金属电极，所述的主栅线金属电极与多根细栅线金属电极相垂直，每根主栅线金属电极呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极的断开部分位于相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。本实用新型能够更好地收集电流，降低串阻，提升电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳电池的正电极结构，其特征在于，它包括：多根细栅线金属电极(1)，呈并列平行状；四根主栅线金属电极(2)，所述的主栅线金属电极(2)与多根细栅线金属电极(1)相垂直，每根主栅线金属电极(2)呈多段状从而被分割为至少两个主栅线金属子电极，并且主栅线金属电极(2)的断开部分位于相邻的细栅线金属电极(1)之间的空白区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420770643.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
