[实用新型]肖特基势垒有效
| 申请号： | 201420778129.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN204332964U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜硕;唐冬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种肖特基势垒，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。根据本实用新型的肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止对势垒的热处理过程中低势垒金属层被氧化而引起势垒参数不稳定的问题。形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒，其特征在于，包括硅片、低势垒金属层及电极金属层，所述低势垒金属层蒸镀在所述硅片上，所述电极金属层蒸镀在所述低势垒金属层上并包覆所述低势垒金属层。
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