[实用新型]一种化合物薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201420778578.5 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN204315592U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 韩安军;张庆钊;彭东阳;顾世海;李琳琳 | 申请(专利权)人: | 北京汉能创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽;尹学清 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种化合物薄膜太阳能电池,其依次包括衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和电极层,所述缓冲层为具有带隙梯度的CdSO缓冲层,所述CdSO缓冲层的带隙由所述吸收层至所述窗口层逐渐增加。本实用新型用具有带隙梯度的CdSO缓冲层替代CdS缓冲层,CdSO缓冲层的带隙由吸收层至窗口层逐渐增加,形成梯度带隙,这样底部为O含量较少的CdS,可用于减少与吸收层晶格失配,而上层CdSO带隙逐渐增加,则有利于通过短波光,使太阳能电池的短波光谱响应增加。 | ||
搜索关键词: | 一种 化合物 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种化合物薄膜太阳能电池,其依次包括衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层和电极层,其特征在于,所述缓冲层为具有带隙梯度的CdSO缓冲层,所述CdSO缓冲层的带隙由所述吸收层至所述窗口层逐渐增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的