[实用新型]一种具有温度梯度调整作用的用于制备碳化硅晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201420784391.6 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417651U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 巴音图;邓树军;高宇;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有温度梯度调整作用的用于制备碳化硅晶体的坩埚，本技术方案中为实现对晶体生长过程中坩埚内温度梯度的调整增设了位于坩埚体内部底面的附加层，再通过对附加层材质、材质热导率、附加层形状、尺寸等特征进行优选，实现了对坩埚体内部底面温度的调整，进而控制晶体生长过程中存在的轴向和径向温度梯度。本实用新型以相对简单的结构改进实现了较为突出的技术效果，且易于实现、成本可控，具有突出的规模化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 温度梯度 调整 作用 用于 制备 碳化硅 晶体 坩埚 | ||
【主权项】：
一种坩埚，包括坩埚体(1)，上盖(2)，所述坩埚体(1)呈筒状，所述上盖(2)与坩埚体(1)端口形状相配合、盖在坩埚体(1)端口处，其特征在于还包括附加层(3)，所述附加层(3)位于坩埚体(1)内部底面上。
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