[实用新型]一种大面积生长石墨烯的装置有效
申请号: | 201420786714.5 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN204325492U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 高翾;黄德萍;李占成;张永娜;姜浩;朱鹏;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/44 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 401329 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型涉及石墨烯生长设备技术领域,尤其涉及一种大面积生长石墨烯的装置。包括石英管、通气腔体、金属基底,所述通气腔体内部中空,所述通气腔体为螺旋式柱状结构,所述金属基底的形状与所述通气腔体的形状相匹配,所述金属基底沿着所述通气腔体内表面螺旋卷曲,所述通气腔体最内圈的端部与所述金属基底最内圈的端部固定连接在一起,所述通气腔体的最内圈的一侧和最外圈的同一侧上均设有进气口,所述通气腔体的内表面上设有多个出气孔,所述石英管套设在所述通气腔体外,包覆住整个所述通气腔体。本实用新型的有益效果是:结构简单,有利于大面积卷式生长石墨烯,节省空间,同时石墨烯生长均匀、提高产量。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 生长 石墨 装置 | ||
【主权项】:
一种大面积生长石墨烯的装置,其特征在于,包括石英管(5)、通气腔体(1)、金属基底(4),所述通气腔体(1)内部中空,所述通气腔体(1)为螺旋式柱状结构,所述金属基底(4)的形状与所述通气腔体(1)的形状相匹配,所述金属基底(4)沿着所述通气腔体(1)内表面螺旋卷曲,所述通气腔体(1)最内圈的端部与所述金属基底(4)最内圈的端部固定连接在一起,所述通气腔体(1)的最内圈的一侧和最外圈的同一侧上均设有进气口(3),所述通气腔体(1)的内表面上设有多个出气孔(2),所述石英管(5)套设在所述通气腔体(1)外,包覆住整个所述通气腔体(1)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的