[实用新型]基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构

摘要

本实用新型公开了一种基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构，包括核心单元和外围电路，所述核心单元SAPUF结构是一种利用StrongARM型锁存灵敏放大器差分结构作为PUF的结构；所述外围电路包括一个SRAM存储器。所述StrongARM型锁存灵敏放大器为差分结构，包括七个场效应管:N1、N2、N3、N4、N5、P1和P2管，其中，N3和N4管构成MOS对管，所述N3和N4管的栅极接位线；N5管为使能管，N5管的栅极接使能控制信号EN；N1、N2、P1和P2管构成正反馈的锁存结构，该锁存结构相对于所述的MOS对管为负载；N1、P1管的栅极为放大器的输出端OUT，所述P1、P2管的源极为放大器的电源端。本实用新型为AES加解密电路提供密钥，保证密钥的唯一性、不可复制性和可靠性。

主权项

一种基于锁存型电压灵敏放大器PUF的AES密钥产生结构，其特征在于，包括核心单元和外围电路，所述核心单元为SAPUF结构，所述SAPUF结构是一种利用StrongARM型锁存灵敏放大器作为PUF的结构；所述外围电路包括一个SRAM存储器；所述StrongARM型锁存灵敏放大器为差分结构，包括七个场效应管:N1管、N2管、N3管、N4管、N5管、P1管和P2管，其中，N3管和N4管构成MOS对管，所述N3管和N4管的栅极接位线；N5管为使能管，N5管的栅极接使能控制信号EN，该使能控制信号EN控制放大器的开启与关断；N1管、N2管、P1管和P2管构成正反馈的锁存结构，该锁存结构相对于所述的MOS对管为负载；N1管和P1管的栅极为放大器的输出端OUT，所述P1管和P2管的源极为放大器的电源端。