[实用新型]一种细节距钎料柱凸点互连结构有效
申请号: | 201420819155.3 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN204905240U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 于大全 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710018 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种细节距钎料柱凸点互连结构,属于微电子先进封装技术领域。该结构包括一个芯片基底,芯片基底上部至少有一个钎料柱凸点,钎料柱凸点包括钎料柱、钎料球和凸点下金属层,钎料球与钎料柱顶部相连,凸点下金属层与钎料柱底部连接,芯片基底顶部连接有金属焊盘,凸点下金属层下部与金属焊盘连接;钎料柱的熔点高于200度,高度大于5微米,钎料球熔点小于180度,形成钎料球的回流温度不高于200度。本实用新型形成的细节距凸点具有熔点低的特性,可以在低温下倒装回流,同时由于钎料柱比金属凸点柱具有更好的塑性和延展性,倒装回流工艺形成的焊点结构具有较低应力,有利于改善Cu low-K芯片可靠性,同时在凸点材料选择方面具有很大灵活性。 | ||
搜索关键词: | 一种 细节 距钎料柱凸点 互连 结构 | ||
【主权项】:
一种细节距钎料柱凸点互连结构,其特征在于:该结构包括一个芯片基底(1),芯片基底(1)上部至少有一个钎料柱凸点,钎料柱凸点包括钎料柱(6)、钎料球(8)和凸点下金属层(4),钎料球(8)与钎料柱(6)顶部相连,凸点下金属层(4)与钎料柱(6)底部连接,芯片基底(1)顶部连接有金属焊盘(2),凸点下金属层(4)下部与金属焊盘(2)连接;钎料柱(6)的熔点高于200度,高度大于5微米,钎料球(8)熔点小于180度,形成钎料球(8)的回流温度不高于200度。
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