[实用新型]一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构

摘要

本实用新型提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上的上电极；与该半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于超晶格生长方向的太赫兹波及施加于垂直于超晶格生长方向的磁场。将太赫兹波耦合进超晶格实现了对电子运动状态的调控。在太赫兹场和磁场作用下，通过测量超晶格外电路的电流或者电阻两端的电压得到超晶格微带电子的运动状态。本实用新型的器件结构工艺简单，可以很方便的实现对超晶格体系中电子运动状态的调制。

主权项

一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构，其特征在于，所述器件结构至少包括：半导体超晶格器件；所述半导体超晶格器件至少包括：衬底及位于该衬底上且由势垒和势阱交替堆叠构成的周期性结构；位于所述周期性结构上表面的重掺杂接触层以及位于该重掺杂接触层上表面的上电极；位于所述衬底上的下电极；所述器件结构还包括：连接于所述半导体超晶格器件上、下电极且与所述半导体超晶格器件构成闭合回路的电阻、施加于所述半导体超晶格器件中超晶格生长方向的太赫兹波以及施加于垂直于所述超晶格生长方向的磁场。