[实用新型]一种射频功率放大器高次谐波抑制电路有效
申请号: | 201420838245.7 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN204290884U | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 马建国;成千福;朱守奎 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/20;H03F3/189 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种射频功率放大器高次谐波抑制电路,包括晶体管,高次谐波抑制电路,基波匹配电路和直流偏置电路;所述高次谐波抑制电路位于晶体管和基波匹配电路之间;所述基波匹配电路和直流偏置电路位于高次谐波抑制电路和负载之间。采用低通滤波器或带通滤波器实现所述高次谐波抑制电路,所述射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器或带通滤波器的通带内,所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内;同时,所述低通滤波器或带通滤波器通带内具有很低的插损,阻带内具有很高的插损。利用本实用新型所提供高次谐波抑制电路,增强了功率放大器的高次谐波抑制功能,可以提高功率放大器的线性度、效率和输出功率。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 谐波 抑制 电路 | ||
【主权项】:
一种射频功率放大器高次谐波抑制电路,包括晶体管,高次谐波抑制电路和输出匹配电路,其特征在于:所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间;所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间;所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制。
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