[实用新型]一种扇出型圆片级芯片正装封装结构有效
申请号: | 201420838565.2 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN204348703U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/488 |
代理公司: | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人: | 蒋路帆 |
地址: | 226004 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,包括金属镀层(2)、键合层(3)、芯片(8)、导线9、导电层(6)、电介层(5)和塑封层(4);芯片(8)通过导线9连接键合层(3)、芯片(8)和键合层(3)分别设置安装在金属镀层(2)上;塑封层是用填料包封芯片(8)、金属镀层(20、导线9、键合层(3)以及导电层(6)和电介层(5)的上面形成,导电层(6)和电介层(5)位于底部。结构多变,应用广泛;使用铜的含量降低有利于低成本化;I/O端密度一般不会偏低;另外本实用新型通过去除载板(1)并在底层进行再布线,实现了低成本且可用于各种封装形式以及较高的精准度,同时植球间距利用线路层中铜的部分可以明显降低,加强整体的支撑强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 扇出型圆片级 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种扇出型圆片级芯片正装封装结构,包括金属镀层(2)、键合层(3)、芯片(8)和导电层(6);其特征在于:芯片(8)通过导线(9)连接键合层(3),芯片(8)和键合层(3)分别设置安装在金属镀层(2)上;导电层(6)位于金属镀层(2)下与金属镀层(2)连接。
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