[实用新型]一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路有效
| 申请号： | 201420841070.5 | 申请日： | 2014-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN204423920U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李寅寅;王秋实;金林;郭二辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人： | 吴娜 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，包括定时计数器、刷新控制器和刷新地址计数器，定时计数器的输出端与刷新控制器的输入端相连，外接外部信号的刷新控制器的输出端与刷新地址计数器的输入端相连，刷新地址计数器的输出端与SRAM存储阵列的A、CSN、WEN端相连，SRAM存储阵列的输出端Q端通过第三表决器与SRAM存储阵列的D端相连。本实用新型对存储器定时的进行读、纠错和回写，确保特定的时间间隔内累积的错误位数不超过纠错码的纠错能力，提高了SRAM的抗多位翻转能力；用户的读写优先级高于刷新的优先级，使用户对SRAM的读写操作不被刷新操作中断，保证了用户读写的高可利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用率 辐射 sram 刷新 电路 | ||
【主权项】：
一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路，其特征在于：包括定时计数器（3）、刷新控制器（2）和刷新地址计数器（1），定时计数器（3）的输出端与刷新控制器（2）的输入端相连，外接外部信号的刷新控制器（2）的输出端与刷新地址计数器（1）的输入端相连，刷新地址计数器（1）的输出端与SRAM存储阵列（4）的A、CSN、WEN端相连，SRAM存储阵列（4）的输出端Q端通过第三表决器与SRAM存储阵列（4）的D端相连。
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