[实用新型]发光二极管结构有效

专利信息
申请号: 201420861129.7 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN204289526U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 刘源;邹继军;万明;张钦亮;周飞;彭新村;刘晓艳 申请(专利权)人: 天际(吉安)光电信息有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/64
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 许艳
地址: 343100 江西省吉安*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型公开了一种发光二极管,其结构包括p型GaN层(1)、InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6);所述的p型GaN层(1)依次与InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6)连接;所述的发光二极管还包括:一稀土荧光光子晶体层(7),设在p型GaN层(1)之上;用于生成白光的混光材料和光的输运介质;多层石墨烯导热层(8),设在散热片(6)与衬底(5)之间;用于热量的导出。上述发光二极管结构出光效率高且导热性能好。
搜索关键词: 发光二极管 结构
【主权项】:
一种发光二极管结构,包括p型GaN层(1)、InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6);所述的p型GaN层(1)依次与InGaN多量子阱有源发光层(2)、n型GaN层(3)、缓冲层(4)、衬底(5)以及散热片(6)连接;其特征在于,所述的发光二极管还包括:一稀土荧光光子晶体层(7),设在p型GaN层(1)之上;用于生成白光的混光材料和光的输运介质;多层石墨烯导热层(8),设在散热片(6)与衬底(5)之间;用于热量的导出。
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