[发明专利]一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器有效

专利信息
申请号: 201480000267.9 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN105378548B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 王涛;刘磊;徐晓庚 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器,用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中,光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域,会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104);其中,第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接;第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106);第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接;PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构,且相邻的U型结构的开口方向相反;其中,至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在,使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短,大大降低了吸收损耗。
搜索关键词: 掺杂区域 耗散区 电光调制器 掺杂 邻接 吸收损耗 本征区 掺杂的 载流子 光波通过 开口方向 依次排列 重合 光模 制作
【主权项】:
1.一种掺杂结构,其特征在于,该掺杂结构包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域;其中:所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域邻接;所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域邻接以形成PN结耗散区;所述第三掺杂区域与所述第四掺杂区域邻接;所述PN结耗散区包括多个依次排列的U型结构,且相邻的U型结构的开口方向相反;其中,至少一个所述U型结构内包括无掺杂的本征区。
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