[发明专利]一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器有效
申请号: | 201480000267.9 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105378548B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 王涛;刘磊;徐晓庚 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种掺杂结构及其制作方法、电光调制器,用于解决现有电光调制器使用的掺杂结构中,光模场所在区域中没有与载流子耗散区重合的区域,会带来额外的吸收损耗的问题。掺杂结构包括第一掺杂区域(101)、第二掺杂区域(102)、第三掺杂区域(103)和第四掺杂区域(104);其中,第一掺杂区域(101)与第二掺杂区域(102)邻接;第二掺杂区域(102)与第三掺杂区域(103)邻接以形成PN结耗散区(106);第三掺杂区域(103)与第四掺杂区域(104)邻接;PN结耗散区(106)包括多个依次排列的U型结构,且相邻的U型结构的开口方向相反;其中,至少一个U型结构内包括无掺杂的本征区(105)。由于无掺杂的本征区(105)的存在,使得光波通过该PN结耗散区(106)之外的掺杂区域的距离很短,大大降低了吸收损耗。 | ||
搜索关键词: | 掺杂区域 耗散区 电光调制器 掺杂 邻接 吸收损耗 本征区 掺杂的 载流子 光波通过 开口方向 依次排列 重合 光模 制作 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂结构,其特征在于,该掺杂结构包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域;其中:所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域邻接;所述第二掺杂区域与所述第三掺杂区域邻接以形成PN结耗散区;所述第三掺杂区域与所述第四掺杂区域邻接;所述PN结耗散区包括多个依次排列的U型结构,且相邻的U型结构的开口方向相反;其中,至少一个所述U型结构内包括无掺杂的本征区。
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