[发明专利]一种用于温度传感器的纳米磁性多层膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201480000687.7 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN105122489B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;袁忠辉;刘盼;于国强;丰家峰;张殿琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人： | 黄小临,冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于温度传感器的面内磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜分为三类第一类结构由下至上依次包括基片、底层、底部复合磁性层、中间势垒层、顶部复合磁性层和覆盖层，其中顶部复合磁性层和底部复合磁性层采用直接钉扎或间接钉扎结构；第二类由下至上依次包括基片、底层、底部钉扎层、中间势垒层、顶部钉扎层和覆盖层，所述顶部钉扎层和底部钉扎层的采用直接钉扎或间接钉扎结构；第三类磁性纳米多层膜结构由下至上依次包括基片、底层、底部磁性多层膜、底部磁性层、中间势垒层、顶部磁性层、顶部磁性多层膜和覆盖层，所述磁性多层膜其磁矩垂直于膜面，底部和顶部多层膜矫顽力不一样，通过退火处理使上下两层铁磁层磁矩处于反平行排列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 温度传感器 纳米 磁性 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于温度传感器的磁性多层膜，包括：设置在基片上的底部复合磁性层，所述底部复合磁性层具有直接钉扎结构、间接钉扎结构、人工铁磁结构或人工反铁磁结构；设置在所述底部复合磁性层上的势垒层；以及设置在所述势垒层上的顶部复合磁性层，所述顶部复合磁性层具有所述直接钉扎结构、所述间接钉扎结构、所述人工铁磁结构或所述人工反铁磁结构，其中，所述底部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩反平行于所述顶部复合磁性层中的与所述势垒层最接近的铁磁层的磁矩。
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