[发明专利]荧光体和发光装置有效
| 申请号： | 201480001295.2 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104321407A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 奥山浩二郎;白石诚吾 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的荧光体由通式xAO·y1EuO·y2EuO3/2·MgO·zSiO2表示，在所述通式中，A是选自Ca、Sr和Ba中的至少一种，x满足2.80≤x≤3.00，y1+y2满足0.01≤y1+y2≤0.20，z满足1.90≤z≤2.10，将全部Eu元素中的2价Eu元素的比例定义为2价Eu率时，通过X射线光电子能谱法测定的荧光体粒子的2价Eu率为50摩尔％以下，通过X射线吸收近边结构解析法测定的荧光体粒子的2价Eu率为97摩尔％以上。另外，本发明的发光装置具有包含该荧光体的荧光体层。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种荧光体，其由通式xAO·y1EuO·y2EuO3/2·MgO·zSiO2表示，在所述通式中，A是选自Ca、Sr和Ba中的至少一种，x满足2.80≤x≤3.00，y1+y2满足0.01≤y1+y2≤0.20，z满足1.90≤z≤2.10，将全部Eu元素中的2价Eu元素的比例定义为2价Eu率时，通过X射线光电子能谱法测定的荧光体粒子的2价Eu率为50摩尔％以下，通过X射线吸收近边结构解析法测定的荧光体粒子的2价Eu率为97摩尔％以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社，未经松下知识产权经营株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480001295.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
