[发明专利]半导体用复合基板的操作基板有效
| 申请号： | 201480001476.5 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104364905A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 井出晃启;岩崎康范;宫泽杉夫 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;B23K20/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体用复合基板包括操作基板(11)、以及在操作基板(11)的表面直接或介由接合层键合的施主基板。操作基板(11)由绝缘性多晶材料形成，操作基板(11)的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板的表面形成有凹部(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 操作 | ||
【主权项】：
一种半导体用复合基板的操作基板，其特征在于，所述操作基板由绝缘性多晶材料形成，所述操作基板表面的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，所述表面形成有凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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