[发明专利]氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法有效
| 申请号： | 201480001634.7 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104736497B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/457;C23C14/34;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。该烧结体的体电阻低，能够DC溅射，并且能够形成透明且高折射率的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 折射率 导电性 薄膜 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、钛(Ti)、锌(Zn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～20摩尔％In，以TiO2换算含有2～15.4摩尔％Ti，以ZnO换算含有60摩尔％以上Zn；将In的原子比设为A原子％、将Ti的原子比设为B原子％、将Zn的原子比设为C原子％时，0.5≤A/B≤5且0＜C/(A+B)＜10；所述烧结体的体电阻为8.7mΩ·cm以下。
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