[发明专利]含有焊料的半导体器件、安装的含有焊料的半导体器件、含有焊料的半导体器件的制造方法和安装方法在审
| 申请号： | 201480001915.2 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104488086A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 熊野哲弥;吉本晋 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/338;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种含有焊料的半导体器件(1)包括半导体器件(1D)。该半导体器件(1D)包括衬底(10)，布置在该衬底(10)上的至少一层III族氮化物半导体层(20)，布置在该III族氮化物半导体层(20)上的肖特基电极(40)和布置在该肖特基电极(40)上的焊垫电极(50)。该焊垫电极(50)具有包括至少Pt层的多层结构。该含有焊料的半导体器件(1)还包括具有200至230℃的熔点且布置在半导体器件(1D)的焊垫电极(50)上的焊料(60)。因此，能够安装包括肖特基栅极、布置在肖特基栅极上的焊垫电极和布置在焊垫电极上的焊料的含有焊料的半导体器件，以提供不使半导体器件的性能劣化的安装的含有焊料的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 焊料 半导体器件 安装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含有焊料的半导体器件，包括半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；布置在所述衬底上的至少一层III族氮化物半导体层；布置在所述III族氮化物半导体层上的肖特基电极；和布置在所述肖特基电极上的焊垫电极，所述焊垫电极具有包括至少Pt层的多层结构，所述含有焊料的半导体器件还包括具有200至230℃的熔点并且布置在所述半导体器件的所述焊垫电极上的焊料。
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