[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201480001983.9 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104603940B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 五十岚孝行;船矢琢央 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；形成于所述衬底的上方的第1绝缘膜；形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；以及形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，所述第2线圈与所述第3布线之间的距离比所述第2线圈与所述第2布线之间的距离大。
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