[发明专利]底部填充材料以及采用它的半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201480002243.7 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN104956471B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 森山浩伸 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C08G59/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用它的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料,其含有环氧树脂和硬化剂,通过用差示扫描热量计的小泽法算出的240℃下的反应率达到20%的时间为2.0秒以下,该反应率达到60%的时间为3.0秒以上。由此,能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。 | ||
搜索关键词: | 底部 填充 材料 以及 采用 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种底部填充材料,在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前,被预先贴合在半导体芯片,所述底部填充材料,含有环氧树脂和硬化剂,通过用差示扫描热量计的小泽法算出的240℃下的反应率达到20%的时间为2.0秒以下,该反应率达到60%的时间为3.0秒以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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