[发明专利]底部填充材料以及采用它的半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480002243.7 申请日: 2014-09-10
公开(公告)号: CN104956471B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 森山浩伸 申请(专利权)人: 迪睿合株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;C08G59/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;姜甜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用它的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料,其含有环氧树脂和硬化剂,通过用差示扫描热量计的小泽法算出的240℃下的反应率达到20%的时间为2.0秒以下,该反应率达到60%的时间为3.0秒以上。由此,能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。
搜索关键词: 底部 填充 材料 以及 采用 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
 一种底部填充材料,在将形成有带焊料的电极的半导体芯片搭载于形成有与带焊料的电极对置的对置电极的电子部件之前,被预先贴合在半导体芯片,所述底部填充材料,含有环氧树脂和硬化剂,通过用差示扫描热量计的小泽法算出的240℃下的反应率达到20%的时间为2.0秒以下,该反应率达到60%的时间为3.0秒以上。
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