[发明专利]半导体激光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480002382.X 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104718671B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 土田和弘 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/022 分类号: H01S5/022
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 吴秋明
地址: 日本国大阪府大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体激光装置(1)具备半导体激光元件(4),其从射出区域(4a)射出激光;盖罩(5),其具有覆盖半导体激光元件(4)的周壁(5a)以及顶壁(5b),并且在顶壁(5b)开出与射出区域(4a)对置的窗部(5c);和透明的光学部件(6),其堵塞窗部(5c),光学部件(6)是使液状树脂(20)固化而形成的,并且由光学部件(6)来夹持顶壁(5b),光学部件(6)的与射出区域(4a)面对的光入射面(6b)通过液状树脂(20)的自然流动而形成。
搜索关键词: 半导体 激光 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体激光装置,具备:半导体激光元件,其从射出区域射出激光;盖罩,其具有覆盖所述半导体激光元件的周壁以及顶壁,并且在所述顶壁进行开口而形成与所述射出区域对置的窗部;和透明的光学部件,其堵塞所述窗部,所述半导体激光装置的特征在于,所述光学部件是使液状树脂固化而形成的,并且由所述光学部件来夹持所述顶壁,所述光学部件的与所述射出区域面对的光入射面通过所述液状树脂的自然流动而形成,所述光学部件具有从所述盖罩的所述顶壁上连续地延伸设置到所述周壁的外周面上的延设部。
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