[发明专利]导电性粒子及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201480002395.7 申请日: 2014-10-20
公开(公告)号: CN105378855A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 瓦谷浩一;马渡芳夫 申请(专利权)人: 三井金属矿业株式会社
主分类号: H01B5/00 分类号: H01B5/00;C01B13/14;C01B13/18;C01G19/00;H01B1/00;H01B1/20;H01B13/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张楠;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的导电性粒子是在芯材的表面具有由含有掺杂元素的导电性氧化锡构成的覆盖层的导电性粒子,其中,在覆盖层中,掺杂元素偏在于覆盖层的表面侧。导电性粒子的BET比表面积为20m2/g~50m2/g、体积电阻为1.0×100Ω·cm~1.0×103Ω·cm是优选的。在覆盖层中,掺杂元素的量从所述覆盖层的表面侧朝着芯材侧递减也是优选的。
搜索关键词: 导电性 粒子 及其 制造 方法
【主权项】:
一种导电性粒子,其是在芯材的表面具有由含有掺杂元素的导电性氧化锡构成的覆盖层的导电性粒子,其中,在覆盖层中,掺杂元素偏在于覆盖层的表面侧。
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