[发明专利]用于功率半导体装置的场板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201480002396.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104737293A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伊夫蒂哈尔.艾哈迈德;伍震威 | 申请（专利权）人： | 伍震威 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 中国香港清水湾香港科技*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 提供一种功率半导体装置的结构和制造方法。提供位于在功率半导体装置的表面处的金属电极（21、22、23）之间的薄半绝缘场板（32、33、34）结构。所述薄半绝缘场板（32、33、34）通过在金属化之前进行沉积并且在所述金属化之后进行退火而形成。可以用于横向功率半导体装置和垂直功率半导体装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体 装置 板结 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半绝缘场板结构，其包括在氧化硅(31)上方并且在功率半导体装置的表面处的金属电极(21、22、23)之间的半绝缘层(34)。
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