[发明专利]透明化合物半导体及其P型掺杂方法在审
| 申请号： | 201480002425.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104641422A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 车国麟;任志淳 | 申请（专利权）人： | 瑞福龙株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及P型掺杂透明化合物半导体及用于其的P型掺杂方法，其目的是提供基于(Ba,Sr)SnO3或SnO2经由P型掺杂后具有透明性和导电性的透明化合物半导体。本发明提供具有掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na或Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3或SnO2的P型透明化合物半导体，以及用于其的P型掺杂方法。取代(Ba,Sr)SnO3或SnO2中包含的(Ba,Sr)和Sn的M具有0＜x≤0.7的组成。(Ba,Sr)SnO3是指Ba1-ySrySnO3(0≤y≤1.0)。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 化合物 半导体 及其 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
P型掺杂透明化合物半导体，其包含掺杂有M(M是Ru、Ga、Cu、Zn、K、Na以及Rb中的一种)的(Ba,Sr)SnO3和SnO2之一，其中(Ba,Sr)SnO3是指Ba1‑ySrySnO3(0≤y≤1.0)。
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