[发明专利]铜合金溅射靶有效
| 申请号： | 201480002945.5 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104781447B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 大月富男;长田健一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/01;C22C9/05;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种铜合金溅射靶，具有含有1.0～5.0原子％的Mn、含有0.1～4.0原子％的Al、其余包含Cu及不可避免的杂质的组成，其特征在于，在所述溅射靶面内，组成的变动为20％以内。本发明的课题在于提供一种铜合金溅射靶及使用该靶形成的半导体元件布线，该铜合金溅射靶可以形成半导体元件的布线材料、尤其是在电镀铜时不发生凝聚的、稳定且均匀的晶种层，并且溅射成膜特性优良。 | ||
| 搜索关键词： | 铜合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种铜合金溅射靶，其具有含有1.0～5.0原子％的Mn、含有0.1～4.0原子％的Al、其余由Cu及不可避免的杂质构成的组成，其特征在于，在所述溅射靶面内，组成的变动为20％以内，所述组成的变动通过在靶平面方向以同心圆状测定9个点或17个点的组成，由{(各成分含量的最大值)‑(各成分含量的最小值)}/(各成分含量的平均值)×100％计算。
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