[发明专利]热辅助磁记录头、半导体激光元件以及半导体激光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201480003463.1 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104854765B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 川上俊之;有吉章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;G11B5/02;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 记录 半导体 激光 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：基板，其由半导体构成；发光部，其具有以所述基板为基底通过外延生长而依次层叠第1导电型半导体层、活性层和第2导电型半导体层的半导体层叠膜，并且由所述活性层形成条带状的光波导；环状的保护壁，其与所述发光部相邻且由所述半导体层叠膜形成，并且包围以所述基板或第1导电型半导体层为底面的凹部；第1电极，其配置在所述凹部的底面上；和第2电极，其配置在所述发光部的上表面，所述保护壁在与垂直于所述光波导的方向平行的方向具有保护壁，所述保护壁在周向的多个位置被槽部分断。
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