[发明专利]相变存储器

摘要

一种相变存储器，包括存储节点，存储节点包括下电极(1)，用于连接衬底；第一相变层(2)，位于下电极之上；第二相变层(3)，层叠于第一相变层上；上电极(4)，位于第二相变层上；存储节点根据第一相变层和第二相变层不同的阻值来存储不同的数据。由于在第二相变层和第一相变层之间不设置隔离层，不仅降低制作存储节点的工艺复杂度，也降低了存储节点的生产成本。

主权项

一种相变存储器，包括存储节点，其特征在于，所述存储节点包括：下电极，用于连接衬底；第一相变层，位于所述下电极之上，所述第一相变层在第一写电压的作用下呈现第一低阻值以及第一高阻值；第二相变层，层叠于所述第一相变层之上，所述第二相变层在第二写电压的作用下呈现第二低阻值和第二高阻值，其中，所述第二写电压与所述第一写电压不同；所述第一相变层的材料与所述第二相变层的材料不同，所述第二相变层的厚度小于所述第一相变层的厚度，所述第二相变层的相变温度高于所述第一相变层的相变温度，所述第二相变层和所述第一相变层中至少一个为纳米薄膜；上电极，位于所述第二相变层之上；所述存储节点根据所述第一相变层和所述第二相变层呈现的不同阻值存储不同的数据；第三相变层，层叠于所述第二相变层之上，位于所述第二相变层与所述上电极之间，所述第三相变层在第三写电压的作用下呈现第三低阻值和第三高阻值，所述第三相变层的材料与所述第一相变层的材料不同，所述第三相变层的材料与所述第二相变层的材料不同，所述第三相变层的厚度小于所述第二相变层的厚度，所述第三相变层的相变温度高于所述第二相变层的相变温度。