[发明专利]碳化硅单晶晶片、和碳化硅单晶锭的制造方法有效
| 申请号： | 201480003544.1 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105658846B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 中林正史;下村光太;永畑幸雄;小岛清 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种SiC单晶晶片，其是从采用升华再结晶法生长出的SiC单晶锭制作出的SiC单晶晶片，在作为器件制作用晶片的情况下实现了高的器件性能和器件制作的成品率。一种SiC单晶晶片，其特征在于，表面的基底面位错密度为1000个/cm2以下，贯通螺旋位错密度为500个/cm2以下，并且拉曼位移值为0.2以下。另外，一种SiC单晶锭的制造方法，其特征在于，在单晶生长中控制来自单晶锭侧面的热量输入，一边抑制单晶锭的温度分布变化一边进行结晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 单晶锭 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶晶片，表面的基底面位错密度为1000个/cm2以下，贯通螺旋位错密度为500个/cm2以下，且拉曼指数为0.2以下，口径为150mm以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480003544.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
