[发明专利]硅扬声器有效
| 申请号： | 201480003819.1 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104969574B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅扬声器，包括MEMS声电芯片和PCB基板，其中，该MEMS声电芯片包括在硅基板上的波形振膜，并且该MEMS声电芯片的一面被金属化，并且该MEMS声电芯片的被金属化的一面与该PCB基板连接。该波形振膜与在该MEMS声电芯片上的金属路径导电且互连，并且该波形振膜被引到作为一个电极的第一PCB金属路径。在该MEMS芯片下方的第二PCB金属路径构成静电致动器的另一电极。本发明提供的硅扬声器降低扬声器的制造成本，并使得该振膜在发生大的位移时产生高的且可重复、可靠的声压，提高了扬声器的声效。 | ||
| 搜索关键词： | 扬声器 声电 振膜 芯片 金属路径 金属化 电极 静电致动器 制造成本 硅基板 可重复 导电 互连 声效 声压 | ||
【主权项】：
一种硅扬声器，包括MEMS声电芯片和PCB基板，其中，所述MEMS声电芯片包括在硅基板下方的波形振膜，所述硅基板具有金属图案且中空，所述波形振膜具有高的高宽比的波形以缓冲应力，所述波形振膜位于所述硅基板与所述PCB基板之间，且所述硅基板的周边与所述波形振膜的周边直接接触，并且所述MEMS声电芯片的一面被金属化，且所述MEMS声电芯片的被金属化的一面与所述PCB基板相连接。
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