[发明专利]完全晶片级封装的MEMS麦克风及其制造方法

摘要

本发明提供一种完全晶片级封装的MEMS麦克风的制造方法以及其所制造的麦克风，所述方法包括：分别制造第一封装晶片、MEMS麦克风晶片以及第二封装晶片；对所述三个晶片进行晶片到晶片键合，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风单元；对所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元进行切割，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风，该MEMS麦克风完全在晶片级进行封装并且在晶片切割后不需要任何进一步处理。所述方法可以提高所述封装的MEMS麦克风的成本效益、性能一致性、可制造性、质量、缩放能力。

主权项

一种完全晶片级封装的MEMS麦克风的制造方法，包括：分别制造第一封装晶片、MEMS麦克风晶片以及第二封装晶片，其中，所述第一封装晶片包括多个第一封装单元，所述第二封装晶片包括多个第二封装单元，以及所述MEMS麦克风晶片包括多个MEMS麦克风单元，每个所述MEMS麦克风单元包括形成有背孔的硅基底和支撑在所述硅基底上并与所述背孔对齐的声学传感部，以及其中，所述第一封装单元和/或所述第二封装单元和/或所述MEMS麦克风单元包括ASIC，以及所述第一封装单元或所述第二封装单元还包括声孔，用于允许声学信号到达所述声学传感部；对所述MEMS麦克风晶片和所述第一封装晶片以及对所述第二封装晶片和所述MEMS麦克风晶片进行晶片到晶片键合，使得所述第一封装单元、所述MEMS麦克风单元以及所述第二封装单元都相应对齐，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风单元，在每个所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元中，所述声学传感部、所述ASIC以及形成在所述第一封装单元外侧和/或所述第二封装单元外侧的可表面安装的焊盘之间的电学连接通过互连线或者导电焊盘或者硅通路或者其组合来实现；对所述完全晶片级封装的MEMS麦克风单元进行切割，以形成多个完全晶片级封装的MEMS麦克风。