[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201480004256.8 申请日: 2014-01-14
公开(公告)号: CN104903792B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 野泽顺;宍戸博明;酒井和也 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法,根据该掩膜板坯料,即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下,该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高,多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高,进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于,在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。
搜索关键词: 掩膜板 坯料 相移 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种掩膜板坯料,其在透光性基板上设有相移膜,所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过,且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能,所述掩膜板坯料的特征在于,所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构,所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成,或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成,所述低透光层与所述高透光层相比,氮含量相对少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480004256.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top