[发明专利]负型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、空白掩模、及电子组件与其制造方法有效
| 申请号： | 201480004278.4 | 申请日： | 2014-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104919369B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 土村智孝;八尾忠辉 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/038;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种负型抗蚀剂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、空白掩模、及电子组件与其制造方法，上述负型抗蚀剂组合物可形成解析性(例如解析力、图案形状、线边缘粗糙度(LER))、曝光后加热(PEB)温度依存性及曝光后线宽(PED)稳定性优异的图案。本发明的负型抗蚀剂组合物含有：在阳离子部分中含有氮原子的鎓盐化合物(A)、通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物(B)、以及含酸交联性基的化合物(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 负型抗蚀剂 组合 抗蚀剂膜 图案 形成 方法 空白 电子 组件 与其 制造 | ||
【主权项】：
一种负型抗蚀剂组合物，含有：在阳离子部分中含有氮原子的鎓盐化合物(A)；通过光化射线或放射线的照射而产生酸的化合物(B)；以及含酸交联性基的化合物(C)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480004278.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
