[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480004453.X | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104919080B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22D21/00;C22C28/00;C22F1/16;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射靶，其以5wtppm～10000wtppm含有Cu，剩余部分由In构成，相对密度为99％以上，并且，平均结晶粒径为3000μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其以大于100wtppm且10000wtppm以下含有Cu，剩余部分由In构成，相对密度为99％以上，并且，平均结晶粒径为10μm～500μm，氧浓度为20wtppm以下。
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