[发明专利]用于侧发射的具有成形的生长衬底的LED有效
| 申请号： | 201480004483.0 | 申请日： | 2014-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104885235B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | M.M.布特沃思 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙之刚;景军平 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在相对厚的生长衬底晶片的表面中形成光学特征的阵列。LED层外延生长在生长衬底晶片的相对表面之上。LED层包括朝向生长衬底晶片发射光的有源层。所得LED晶片被单个化以形成具有生长衬底部分的单独的LED管芯，其中每一个生长衬底部分具有至少一个光学特征。光学特征将从有源层发射的光的大部分重定向成通过生长衬底部分的侧壁离开LED管芯。侧发射LED管芯安装在反射杯中并且包封有磷光体材料。LED光因而激发不叠覆LED管芯的磷光体颗粒，因此较少的磷光体光被LED管芯吸收并且效率得以改进。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 衬底晶片 光学特征 源层 发射 磷光体材料 磷光体颗粒 外延生长 发射光 反射杯 磷光体 重定向 包封 侧壁 衬底 成形 激发 吸收 改进 | ||
【主权项】：
1.一种发光结构，包括：LED管芯，包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的生长衬底（42）；以及外延生长在生长衬底的第一表面之上的半导体层，包括发射光的有源层（30），有源层具有面向生长衬底的第三表面，其中生长衬底的第二表面在其中形成至少一个光学特征（44），所述至少一个光学特征将从有源层的第三表面发射的至少光（46）的部分重定向成通过生长衬底的侧壁离开LED管芯；其中LED管芯是具有覆盖LED管芯的底表面的显著部分的反射阳极和阴极电极（12,14）的倒装芯片，其中阳极和阴极电极被配置成在没有线的情况下直接耦合到支撑结构（20）的电极（16,18），使得生长衬底的侧壁发射由有源层生成的光的大部分，其中形成在生长衬底中的光学特征背离支撑结构，光学特征具有第四表面，所述第四表面背离生长衬底并且至少部分地被反射层覆盖，使得反射层减少经由光学特征进入LED管芯的光的量。
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