[发明专利]具有用于防止逆向工程的特征的半导体器件有效
| 申请号： | 201480004534.X | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104969345B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 威廉·埃利·撒克;罗伯特·弗朗西斯·滕采尔;迈克尔·克林顿·霍克 | 申请（专利权）人： | 威瑞斯蒂公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 期望设计并且制造对抗现代逆向工程技术的电子芯片。公开了允许设计难以使用现代拆卸技术进行逆向工程的方法和器件。所公开的器件使用具有相同几何形状但具有不同电压电平的器件以形成不同逻辑器件。替代地，本公开使用具有不同的几何形状和相同的操作特性的器件。另外，公开了使用这些器件设计芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 防止 逆向 工程 特征 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：基底层；第一层，所述第一层至少部分地位于所述基底层上；第二层，所述第二层至少部分地位于所述第一层上；第一金属层，所述第一金属层至少部分地位于所述第二层上，其中，所述电子器件的一个或多个信号输出形成在所述第一金属层中；以及第二金属层，所述第二金属层至少部分地位于所述第一金属层上，其中，所述第二金属层是浮置的，并且一个或多个栅极连接被连接到所述第二金属层，其中，将所述第二金属层暴露于离子束导致至少一个栅极故障。
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