[发明专利]在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池有效
| 申请号： | 201480004649.9 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105051867B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 小松祐次;J·安克尔;P·C·巴顿;I·G·罗密杰恩 | 申请（专利权）人： | 荷兰能源建设基金中心 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/324;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 严政,李婉婉 |
| 地址： | 荷兰北荷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，包括以下步骤(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；(c)从第一表面(2)的至少部分移除所述硼掺杂源(6)；(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；(e)将基板(1)退火，以通过未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低所述硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度。所述硅氧化物(10)作为硼吸收者以获得所需浓度的硼掺杂区域(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 基板中 提供 掺杂 区域 方法 以及 使用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，该方法包括：(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；(c)从第一表面(2)的至少部分移除硼掺杂源(6)；(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；(e)将基板(1)退火，以通过所述未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度以及使磷扩散进入基板(1)的第二表面(4)，以得到磷掺杂层(12)，其中硼吸收与磷扩散在相同处理步骤中发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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