[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201480004973.0 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104919594B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 青井佐智子;渡辺行彦;铃木克己;水野祥司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 黄威,邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括：在半导体层中形成第一沟槽，其中，所述半导体层具有包括第一区域和第二区域的表面，并且所述第一沟槽形成于所述第一区域中；在形成所述第一沟槽后于所述半导体层的所述表面上生长第一导电类型的基极层的晶体；在所述基极层的表面上生长第二导电类型的源极层的晶体，使得反映了第一沟槽的构造的反映沟槽形成在所述第一区域上；在所述源极层的表面上形成掩膜层；通过从所述掩膜层的表面蚀刻预定厚度，选择性地保留存在于所述半导体层的所述表面的所述第一区域上的所述反映沟槽中的所述掩膜层；形成穿透存在于所述半导体层的所述表面的所述第二区域上的所述源极层和所述基极层的至少一部分的第二沟槽，使得所述半导体层在所述第二沟槽中露出；以及在所述第二沟槽中形成绝缘沟槽栅极，其中，所述半导体层的材料、所述基极层的材料和所述源极层的材料是宽带隙半导体，并且在形成所述第二沟槽时，通过使用所述掩膜层作为掩膜来形成所述第二沟槽。
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