[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480005118.1 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104937678B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 佐佐和明;山本祐辅;待永广宣 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B32B7/02;B32B9/00;B32B15/08;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，其为在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜的透明导电性薄膜的制造方法，其具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，所述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，所述透明导电膜的电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，所述透明导电性薄膜的制造方法具有预溅射工序(a)，该工序(a)为：在实施所述高磁场RF叠加DC溅射成膜法之前，以不导入氧气的方式，在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法，以在RF电源的频率为10～20MHz时RF功率/DC功率的功率比为0.4～1.2的范围进行成膜直至所得到的电阻值达到稳定状态为止，或者，该工序(a)为：在实施所述高磁场RF叠加DC溅射成膜法之前，以不导入氧气的方式，在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法，以在RF电源的频率大于20MHz且为60MHz以下时RF功率/DC功率的功率比为0.2～0.6的范围进行成膜直至所得到的电阻值达到稳定状态为止。
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