[发明专利]具有读优选单元结构、写驱动器的静态随机存取存储器(SRAM)、相关系统和方法

摘要

公开了具有读优选单元结构和写驱动器的静态随机存取存储器(SRAM)。在一个实施例中，该SRAM具有六晶体管位单元。读优选位单元是通过提供两个反相器来实现的，这两个反相器各自具有上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管。每个上拉晶体管与反馈环相关联。该反馈环改进了随机静态噪声容限。每个晶体管具有宽度和长度。传输门晶体管的长度被增大。各下拉晶体管的宽度彼此相等并且还等于传输门晶体管的宽度。传输门和各下拉晶体管的宽度也可相对于先前设计而增大。还可使用写辅助电路来改进性能。

主权项

一种静态随机存取存储器SRAM，包括：第一反相器，其包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第一上拉晶体管包括第一背栅反馈环并具有第一宽度WPU1，并且所述第一下拉晶体管具有第一宽度WPD1；第二反相器，其包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述第二上拉晶体管包括第二背栅反馈环并具有第二宽度WPU2，并且所述第二下拉晶体管具有基本等于WPD1的第二宽度WPD2；第一传输门晶体管，其与所述第一反相器相关联，所述第一传输门晶体管具有基本等于WPD1的第一PG宽度WPG1；第二传输门晶体管，其与所述第二反相器相关联，所述第二传输门晶体管具有基本等于WPD2的第二PG宽度WPG2；以及写驱动器，所述写驱动器包括两个输出，所述两个输出中的第一输出连接至所述第二下拉晶体管的位线源和背栅，所述两个输出中的第二输出连接至所述第一下拉晶体管的互补位线源和背栅。