[发明专利]含有具有羟基的芳基磺酸盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201480005451.2 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN105027005B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 远藤贵文;桥本圭祐;西卷裕和;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 黄媛;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其通过降低烧成工序中从抗蚀剂下层膜中产生的升华物量且抑制老化，从而具有高保存稳定性。用于解决本发明的课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，(式中，Ar表示苯环或稠合了苯环的芳香族烃环，m | ||
| 搜索关键词： | 含有 具有 羟基 芳基磺酸盐 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物树脂和下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480005451.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
