[发明专利]相移掩膜的制造方法及相移掩膜

摘要

在相移层形成工序中，通过设定气氛气体中的氧化性气体的流量比，从而在透明基板(S)上将相移层(11b、11c、11d)形成为多级。然后，在相移图案的形成工序中，对所述相移层进行湿式蚀刻，以形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域(B1bh、B1bi)。

主权项

1.一种相移掩膜的制造方法，所述相移掩膜具有：透明基板；以及相移层，至少具有在所述透明基板的表面以固定厚度形成的部分，并以Cr为主要成分，针对g线、h线、i线的每种光能够具有180°相位差，其特征在于，所述相移掩膜的制造方法具有：在所述透明基板上将所述相移层形成为多级的工序；以及对所述相移层进行湿式蚀刻，并以使所述相移层与所述透明基板具有俯视观察到的边界部分的方式，对所述相移层进行图案化以形成相移图案的工序，在俯视观察到的所述相移层与所述透明基板的边界部分中，形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域，所述相移层的多级区域具有在所述g线中具有180°相位差的厚度、在所述h线中具有180°相位差的厚度、以及在所述i线中具有180°相位差的厚度，作为所述相移层中的各级的成膜气氛的成膜气体含有惰性气体、氮化性气体以及氧化性气体，或者含有所述氮化性气体和所述氧化性气体，相对于总气体流量，所述氧化性气体的流量比选自3.68％～24.89％的范围，所述总气体流量中含有的所述氮化性气体的流量比选自47.19％～60.51％的范围。