[发明专利]具有可调整电极的沉积源

摘要

描述了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器。基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域。等离子体沉积源用以沉积薄膜于真空处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极。致动器配置用以调整电极和外表面之间的距离。

主权项

1.一种设备，用于沉积薄膜于基板上，包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括涂布鼓轮，所述基板支撑件具有外表面，用于导引所述基板通过真空处理区域；等离子体沉积源，用以沉积所述薄膜于所述真空处理区域中的所述基板上，其中所述等离子体沉积源包括电极；以及致动器，配置用以调整所述电极和所述外表面之间的距离，其中所述等离子体沉积源包括支撑元件，所述支撑元件机械式连接于所述电极及所述涂布鼓轮的轴，其中所述支撑元件包括碟件的至少一部分以及提供有冷却通道或加热元件以控制所述支撑元件的温度，其中所述碟件的所述部分具有本质上相同于所述涂布鼓轮的直径或具有本质上相同于所述涂布鼓轮加所述真空处理区域的宽度的直径，其中所述碟件的所述部分由一材料所组成，所述材料与具有不同的热膨胀系数的所述涂布鼓轮的材料不同，其中所述碟件的所述部分保持于合适的温度水平，以调整所述碟件的所述部分的直径成为所述涂布鼓轮的直径。