[发明专利]存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的方法有效
| 申请号： | 201480007700.1 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104995733B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;库诺·R·派瑞克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种存储器单元阵列，其包含具有导电掺杂半导体材料的埋入式存取线。支柱在高度上从所述埋入式存取线向外延伸且沿着所述埋入式存取线间隔开。所述支柱个别地包含存储器单元。外部存取线在高度上从所述支柱及所述埋入式存取线向外。所述外部存取线相比于所述埋入式存取线具有更高导电性。多个导电通孔沿着所述埋入式及外部存取线中的个别者的线对间隔开且电耦合所述线对。多个所述支柱沿着所述线对在所述通孔中的紧邻近者之间。导电金属材料直接抵靠所述埋入式存取线的顶部且沿着所述个别埋入式存取线在所述支柱之间延伸。本发明揭示包含方法的其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元阵列，其包括：埋入式存取线，其包括导电掺杂半导体材料；支柱，其在高度上从所述埋入式存取线向外延伸且沿着所述埋入式存取线间隔开，所述支柱个别地包括存储器单元；外部存取线，其在高度上从所述支柱及所述埋入式存取线向外，所述外部存取线相比于所述埋入式存取线具有更高导电性；多个导电通孔，其沿着所述埋入式及外部存取线中的个别者的线对间隔开且电耦合所述线对，多个所述支柱沿着所述线对在所述通孔中的紧邻近者之间；及导电金属材料，其直接抵靠所述埋入式存取线的顶部且沿着所述个别埋入式存取线在所述支柱之间延伸，所述导电金属材料在高度上延伸到所述支柱的下方。
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