[发明专利]CIGS膜以及使用其的CIGS太阳能电池有效
| 申请号： | 201480008053.6 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104981890B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 寺地诚喜;西井洸人;渡边太一;山本祐辅;河村和典;峯元高志;贾卡潘·柴塔那 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制表面的氧化的CIGS膜以及使用该CIGS膜来抑制转换效率的降低和偏差的CIGS太阳能电池。用作该CIGS太阳能电池的光吸收层的CIGS膜具有第1区域，随着从其背面至规定的第1厚度位置为止变厚Ga/(In+Ga)比逐渐减少；第2区域，随着从该第1区域上至规定的第2厚度位置为止变厚上述Ga/(In+Ga)比逐渐增加；进而，在上述第2区域上具有向着表面上述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域。 | ||
| 搜索关键词： | cigs 以及 使用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种CIGS膜，其特征在于，其用作CIGS太阳能电池的光吸收层，且具有：第1区域，随着从其背面至规定的厚度为止变厚下述(A)Ga/(In+Ga)比逐渐减少；以及第2区域，位于该第1区域上，所述Ga/(In+Ga)比向着表面侧逐渐增加；其中，从所述第2区域上至表面为止，形成有向着表面所述Ga/(In+Ga)比逐渐减少的第3区域，所述第2区域的Ga/(In+Ga)比的最大峰值在0.3～0.6的范围内，所述第3区域的Ga/(In+Ga)比的、从所述最大峰值起到所述表面的值的减少值在0.02～0.3的范围内，将所述Ga/(In+Ga)比定义为镓(Ga)的原子数浓度相对于铟(In)的原子数浓度与该镓(Ga)的原子数浓度之和的比。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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