[发明专利]单晶硅棒的制造方法

摘要

本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。

主权项

一种单晶硅棒的制造方法，其通过切克劳斯基单晶生长法控制提拉条件，提拉N区域单晶硅棒，其特征在于，对从所述提拉的N区域单晶硅棒切出的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行EOSF检查，即，实施选择蚀刻测定增强‑OSF密度，并且进行浅坑检查，即，调查该EOSF检查后的样本晶圆的浅坑的发生图案，来判定所述样本晶圆的缺陷区域，在根据该判定结果调整所述提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，事先调查好V区域以及N区域与增强‑OSF密度间的关系，根据该关系和通过所述EOSF检查测定出的增强‑OSF密度，进行所述V区域以及所述N区域的判定，根据通过所述浅坑检查调查出的浅坑的发生图案，判断在I区域与N区域的边界形成的氧析出物形成区域的位置，进行所述I区域以及所述N区域的判定，在所述缺陷区域为N区域的情况下，也判定是Nv区域内的哪个部分，或者是Ni区域内的哪个部分，根据该判定结果调整所述提拉条件。